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Micro-LED如何解锁高清无码?

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发表于 2022-11-29 07:21:33 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 重庆
五年前,苹果iPhone X开始搭载OLED(有机小分子电致发光显示)屏幕;2021年,苹果在新款MacBook Pro上搭载了新的显示技术:Mini-LED(次毫米发光二极管)。但Mini-LED不是终点站,苹果涉足的另一项储备技术,新秀Micro-LED(微米发光二极管)显示技术或有望一统江湖。
3 S  I: A0 Y7 q9 D- ]7 d0 W3 X8 X            之所以升级显示技术,都是为了看得更清晰、更还原真实世界。但目前,搭载Micro-LED技术的产品过于昂贵,如三星110英寸的Micro-LED电视,价格已超过百万元,普通人根本无福消受。Micro-LED产品价格何时才能亲民,手机平板何时才能上Micro-LED屏幕?7 T# w; k6 z% N7 k) C$ d
            本文是“果壳硬科技”策划的“国产替代”系列第十七篇文章,关注Micro-LED国产替代。在本文中,你将了解到:Micro-LED为什么被称作终极显示技术,Micro-LED的产业化难点,Micro-LED市场情况。
; e6 b. K! u5 f# W0 \# ^            付斌丨作者, N* y( k- {+ V9 V
            李拓丨编辑2 K$ i# T* C' W1 F
            果壳硬科技丨策划" i1 U  r8 Z: m; h* E: K
            改变人类生活的显示技术
1 x  l4 T! H5 j            简单来讲,你可以把Micro-LED理解成将LED缩放到极小尺寸的一种新型显示技术。其未来应用有望涉及显示器、电视、手机平板显示、增强现实/虚拟现实/混合现实(AR/VR/MR)、空间显示、柔性透明显示、可穿戴/可植入光电器件、光通讯/光互联、医疗探测、智能车灯等领域。7 r* W  _* _+ I+ ]& J5 w* Z' X+ T
            业界使用两种方法界定Micro-LED的技术规格。
- O+ }# L; C: f            一是通过芯片尺寸界定,将LED芯片缩放至小于100μm,便可称为Micro-LED芯片(也有学者认为应以50μm为界)。根据观看距离和人眼的极限分辨率,对芯片尺寸的要求也不同:
( S2 L9 Q6 @3 e# E% M9 g- r0 p            VR/AR应用观看距离约5cm,像素密度要达到1800PPI左右,此时Micro-LED芯片尺寸为3~5 μm;
# D- ^, s5 _7 A1 L! A: S, M            10英寸~12英寸的平板至少要达到300PPI的像素密度,对应芯片尺寸为20~30μm;" X* D; V$ J1 ^8 K& N
            75英寸的电视则只需43PPI,芯片尺寸往往为200μm左右。[1]0 I, K; d" i6 Q$ n2 T" o, s
            不同应用对Micro-LED芯片尺寸的要求,制表丨果壳硬科技 参考资料丨《电子工业专用设备》[2]            
; i0 f# g, R, }8 n            另一种是通过工艺界定,由于Micro-LED芯片尺寸非常小,其长宽甚至比芯片的高度还小,导致芯片高度大于固晶面尺寸,不利于芯片在基板上固定,因此会比传统LED增加一步激光剥离芯片基板的操作。
) x" y" o6 r7 z* ^6 f9 d            纵观整个显示行业,技术持续涌现,目前市场主流技术包括TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示)、AMOLED(主动矩阵有机发光二极管显示)、QD-OLED(混合OLED和QLED的技术)、QNED(以蓝光LED作为光源的QD-OLED显示)、Mini-LED、Micro-LED、Micro-OLED。
. J" L# S/ b2 S; f$ |1 \            可以简单将现阶段显示技术分为LCD、OLED、QLED、Micro-LED四个大类,其他技术是在此基础上的改良版或过渡版,而Micro-LED被认为是理想的显示技术,是新型显示时代的终极目标,有望替代现阶段大面积使用的LCD和OLED。' _, L7 A3 t' G
            从黑白到高清彩色,CRT技术满足了一代人对影响世界的梦想。从又厚又重到平板显示,LCD和OLED满足了人们对轻薄、便携、对视力友好的要求。而现阶段,唯一能达到更接近现实,甚至是能够骗过人眼的下一代显示技术,是Micro-LED。[3]$ u3 y0 h0 I( K2 {
            行业人士认为,当多种显示技术集中爆发后,最终可能只会有一两种技术能主导市场,而最有希望的无疑是Micro-LED。[1]
2 |) }6 ^" h: e! v. G- X. Y            主流显示技术的分类,制图丨果壳硬科技 参考资料丨《Micro LED显示研究报告(2019)》[4],《电子工业专业设备》[2]            0 g8 q6 J& r. r0 u
            Micro-LED凭什么能获得如此高的评价?因为它不仅拥有LED的大部分优点,还具有高亮度、高分辨率、高响应速度、低功耗、体积小、易拆解、灵活度高、无拼缝等特征,能够覆盖绝大多数显示应用场景[5]。与此同时,它的响应速度能够达到几十纳秒,没有残像且不存在寿命问题。[3]
. ~4 ~  |6 W1 e' j' h            除此之外,对比LCD、OLED、QLED等前辈,Micro-LED的主要性能参数均较为优异。
+ j0 a, ]- S; }- c1 \9 t            现代显示技术比较[1]            
. S' G% @" p! @; Y; k9 A            过渡技术已大规模商业化
. j2 ~% `4 D3 ~, s% [# v; W3 p9 h, e            Micro-LED还有一个近亲:Mini-LED,可以将后者理解为LED与Micro-LED间的过渡技术。由于技术原理极为类似,业界普遍将二者归结于一个路线中,有些情况也会被合称为MLED。" g: `9 T& _! R% }9 S( B
            作为前序技术,Mini-LED主要解决的问题是芯片尺寸断层问题,相关技术发展对Micro-LED具备一定的借鉴作用,其芯片尺寸一般为75μm~300μm。" z7 n8 |$ h" d
            LED全景图[6]            1 E& \+ _- h8 P5 M2 @% Q
            Mini-LED要比Micro-LED实现起来简单地多,不仅在芯片尺寸上更容易被实现,而且在材料上也没有科学性的难题,已被量产投入到市场中,苹果、三星、TCL等品牌已实现规模化量产。* t8 _, Z% z1 K' u5 i8 F
            但Mini-LED与Micro-LED有不同应用场景,市面上Mini-LED一般作为LCD背光源出现,再结合量子点技术,实现高动态范围显示,而Micro-LED则直接用于制作显示像素[7]。简单来说,市售的Mini-LED显示器本质上还是LCD,Mini-LED只是LCD的一个陪衬,而Micro-LED显示器则直接发光成像。[8]
7 m" @' K9 M$ t2 a: r            自2018年开始,面板厂商陆续发布使用Mini-LED作为背光的样机,产品尺寸达到152.4mm~685.8mm(6~27英寸),至今为止,Mini-LED背光的显示器已拥有1398mm(55英寸)、1651mm(65英寸)、1905 mm(75英寸)和2159 mm(85英寸)等型号,可达8K分辨率、120Hz刷新率的高指标,可将现有显示器对比度由10000∶1拉升至1000000∶1。[9]9 Q2 ~! k* c5 x7 g; S% T6 ?+ l" s. S
            Mini-LED产业化行径明晰,已具备一定出货量。2021年,全球中尺寸Mini-LED背光面板出货量达740万片。到2023年,智能汽车将成为Mini-LED的新阵地。[10], {/ L# ?. P1 N- j2 X8 m7 j) |
            基于Mini-LED背光产品的发展路线[9]            2 e; ^! w/ _" h% p( E
            作为中间过渡的Mini-LED产业一派欣欣向荣之势,而Micro-LED依然小众,那想让么Micro-LED出圈,究竟难在哪里?7 e' |8 E3 e. U( E+ ^
            想造,没那么容易
# @: z  E3 i& D+ b            Micro-LED什么都好,就是贵。究其原因,在于制造环节的难题较多,导致难以大量生产、良率较低,引发价格攀升。
/ l9 a6 y' q7 b1 `7 |$ W' N            从表面看,Micro-LED芯片只是将LED芯片微缩化,但实际情况远比想象中要难。从毫米级到微米级转换的过程,本质是LED微小化、薄膜化和矩阵化,在该过程中材料生长、器件制备、驱动技术、生产工艺等步骤都发生了变化,最终产生质变。[11]
* t/ J! ~2 p/ x4 `5 \0 M% r            Micro-LED采用的是RGB(红绿蓝)颜色标准,由于是自发光元件,想让Micro-LED显现图像,就要分别做出三基色的发光芯片,以此构成一个个像素。; \5 t' X0 s6 ^
            用不同材料,可以制备不同颜色的Micro-LED芯片,如InGaN/GaN基材料用于制备绿光/蓝光Micro-LED阵列,AlInGaP/GaAs基材料用于制备红光Micro-LED阵列,蓝宝石、砷化镓和硅等衬底上生长外延层,制备Micro-LED阵列。[12], Q( z7 v& K1 e. T. ~$ w
            从衬底到产品,Micro-LED显示器会经过外延生长、芯片制造、巨量转移、性能检测四大工艺。
8 u: T+ o' u( N) m            Micro-LED器件制造工艺流程[2]
; |# ?( q, ~- q/ c            Micro-LED器件制造简述和难点,制表丨果壳硬科技 参考资料《激光与光电子学进展》[13],《电子工业专业设备》[2]            
! P) C6 f( j% m+ A, |            从技术上来看,芯片制备相关的材料和设备上相对成熟,问题症候在于制造环节,具体来说,Micro-LED的壁垒包括以下几点:/ d' }0 ~/ [6 T1 R' [: m
            都是小惹的祸
3 N& }+ r" N# f% \            对芯片来说,尺寸做得越小,制造难度就越大,Micro-LED亦如此。Micro-LED芯片的尺寸实在太小了,将其制作成各种显示器件时,都要考虑小尺寸带来的影响。2 E5 |/ g7 Y4 y/ |* _8 Y4 E
            要取得小尺寸的Micro-LED,就要使用微缩制程技术,将LED芯片微缩后到满足应用要求的尺寸。微缩制程技术包括芯片焊接、晶圆焊接、薄膜转移三种路径,技术实施得越好,像素密度就会越高。( K5 b2 `5 q' E( V6 m$ Z- Z
            微缩制程技术实现的三种路径,制表丨果壳硬科技 参考资料丨《Micro-LED技术路线图(2020版)》[6],有删改            # \3 R6 b  f; n. |( b/ t* k- a
            Micro-LED还有个不得不面对的致命问题:在微缩过程中,时常会产生侧壁缺陷。比如,同样是2μm的误差缺陷,在250μm×250μm尺寸的LED上,剩余可使用率为97%,但在5μm×5μm的Micro-LED上,剩余可使用率仅为4%。[14]2 r! q5 y; K5 L) ]# k% p
            误差缺陷导致芯片使用率大幅度降低[14]            
2 ?! X* x: g! q5 N            不仅如此,Micro-LED芯片尺寸越小,电感耦合等离子体(ICP)刻蚀区域(侧壁)与有源区体积的比率就会越大,刻蚀损伤所形成的缺陷占比越高[15]。导致非辐射复合比例逐渐上升,发光效率和使用寿命下降。如尺寸从400μm减小至20μm,电流密度光效下降比例可达50%[7]。这还会导致有源区内肖克利·雷德·霍尔(SRH)非辐射复合几率增加、辐射复合几率和发光效率降低、引入新的漏电通道加重器件反向漏电。这些问题,在尺寸小于10μm的Micro-LED上尤为显著。[16]5 b% v" J+ s; F8 o" @9 w
            芯片尺寸问题还会让提高驱动器与Micro-LED阵列集成的效率和稳定性成为难题。简言之,量产LED或是Mini-LED的工艺流程,对Micro-LED来说可能不再适用。
* z$ w6 l5 {! C9 ?* S; @5 ^0 P            巨量转移的困境
; B2 X! L+ L! t; V            LED显示器的每个像素点都由点阵组合而成,一个个小LED芯片组成的阵列的间距基本一致。Micro-LED也是同理。制造出芯片后,也要将大批量的Micro-LED芯片定点巨量地转移到电路基板上,这个过程就是“巨量转移”。
, O4 o: V+ a+ _% G+ b& {/ ?( V8 u& r            与传统的LED不同,Micro-LED的巨量转移不仅对转移精度、转移速率、色彩均匀度的控制有更高要求,转移数量也更大,4K的Micro-LED显示器需完成两千多万颗的Micro-LED芯片倒装,而8K则达到了上亿颗。[17]
9 [; e# ]: m; t' W8 J* t            目前巨量转移技术有多种技术方案,包括精准拾取技术、激光释放技术、流体自组装技术及滚轮转印技术等,不同技术拥有不同特性,但都存在一定弊端。) r% V6 T% ?, a4 d( I
            Micro-LED芯片巨量转移方式[2]            
7 x0 K1 J' w) j5 C& h" `+ E  U: r            具体来说,精准拾取技术对转移设备精准度及稳定度要求极高;激光释放技术在实施过程中可能会对芯片表面造成损伤,降低良率,此外激光设备价格昂贵;流体组装技术需经历3次才能完成转移,效率较低;滚轮转印技术可在柔性基底上实现转移,但同样需要3次转移才能完成巨量转移。[17]4 F7 {& G9 }3 e; c! C. T
            部分方法在实验室可达99.99%的良率,但比起至少要达到99.9999%良率的产业化要求,相差距离较大。业界正在探寻一种易实现、良率高又较为便宜的技术方案。[18]$ Y3 f, z8 ~1 y6 ]
            缤纷色彩背后的挑战% Z% H7 l$ F: _% A5 d9 L3 r8 N
            为什么显示器能够呈现得如此丰富多彩?因为显示界普遍采用了RGB(红绿蓝)颜色系统,通过RGB三原色叠加合成,能够实现肉眼可见的大部分色彩。想要Micro-LED能够正确描绘出画面,就要做好色彩方案,即全彩化。5 M, c9 a' Z3 b2 {4 X0 z5 q
            Micro-LED彩色化主要有两种解决方案:一种是蓝色源转色方案,但色转换材料存在涂布均匀性和信赖性等问题,应用较少;另一种是直接使用LED的RGB三色方案,但对Micro-LED来说,这种方案并不是拿来就能用,需要对LED大小进行相应调整,此外由于各色波长均一性差异,还会面临光效率和良率不足的问题。[14]
/ N4 }4 N( Y% k            不同彩色化技术[17]            
; s5 p0 `, i2 H* W" i/ p            产业链上的难题
: ]8 }8 `/ A& z1 A            造出Micro-LED芯片并不代表着结束,要让它真正显现在人们眼前,在多个技术领域上都要有所突破。
3 D0 ^! v6 G& S/ ~  [! G& L2 q* H            与其它芯片技术相同,Micro-LED也将牵扯庞大的产业链与原材料问题,从原料到点亮屏幕,分为上游、中游和下游,每个环节都与最终成品息息相关,其中较为关键的技术包括驱动IC、驱动背板和封装。[19]
( c: J3 K2 F* f; g2 G: X/ P, V            Mirco-LED显示产业链[19]            
, E+ I& J8 Y2 _; y& _- q; L            产业正蓄势待发( D& D+ U) F+ E% Z
            作为终极目标,Micro-LED无疑是显示领域的明星。& s0 g" n6 R7 X$ [: n6 A( Z
            2000年以来,得州理工大学教授提出Micro-LED的概念,堪萨斯州立大学制备基于Ⅲ族氮化物Micro-LED[20],学术界自此掀起研究浪潮。尤其在2006年后,开始呈指数型增长。谷歌学术数据显示,截止目前,Micro-LED领域已有近6000篇文献。
2 T6 v) H  K7 m( f* q; _            世界各地研究机构与厂商也相继投入Micro-LED的研究,在消费电子巨头牵动下,Micro-LED初步产业化。$ g5 v; Y3 Z8 w+ `+ m% g
            2012年,索尼发布55英寸高清Micro-LED电视面板Crystal LED,它是首个作为商业产品出现的产品;
; @$ g: S% c' Q. j            2014年,苹果公司收购Lux Vue,入场Micro-LED的技术研究,这项技术真正开始进入大众视野,迄今为止,苹果不仅持续推动Micro-LED技术发展,还发布了多款Mini-LED相关产品;
3 l' ~: L  G9 m/ V$ |% y7 x7 x' K' {            2018年,三星于CES展推出全球首款模组化拼接的146英寸Micro-LED TV“The Wall”;7 V) Y3 o* v, c
            2020年12月,三星发售110英寸Micro-LED电视;1 z$ \  Y! ]" T5 ?( F
            2021年1月,Vuzix发布首款商业化的Micro-LED AR智能眼镜。[17]
- [* C; c: I5 V) _  a            从专利上来看,2002年~2014年,Micro-LED专利申请总量较小。而自2017年开始,申请量开始大幅提升。[21]8 u) ]& }$ z0 I# Z
            Micro-LED发展历程[12], A; z  F# I1 ^
            由于技术难题较多,现阶段Micro-LED整体市场规模有限,业内预计,Micro-LED在2024年将实现大规模商用化。[22]! T& }" u2 D( A
            据Research And Markets统计,2020年,Micro-LED的全球市场规模为10亿美元,预计到2027年将以77.1%的年复合增长率增长[23]。另据高工产研LED研究所(GGII)预测,2025年全球市场规模将超过35亿美元,2027年有望突破100亿美元[24]。反观国内方面,有望在大规模商用化之后冲击800亿元市场规模。[22]' |! v3 B. @" F6 R' e7 S  x2 z/ r
            Micro-LED技术路线图[6]            - W& u% y. o# ~3 \" U2 ~* V" A* o5 [' s
            目前市场侧Micro-LED应用分为两大方向,一是以苹果为代表的可穿戴市场,另一个是以三星、索尼为代表的超大尺寸电视市场。短期来看,市场将集中在超小型显示器上,中长期来看,Micro-LED将会横跨可穿戴设备、超大室内外显示屏幕、抬头显示器(Head-Up Display,HUD)、车尾灯、AR/VR/MR、投影机等多领域。[25]: ~; k0 M# V) f6 H
            推进产业化的企业主要包括三类:第一类为传统LED芯片和封装企业,如日亚、晶电Lumens等企业;第二类为TFT-LCD和OLED等新型显示企业,如京东方;第三类为终端企业,如索尼、三星、LG。$ J6 d5 I" q% C/ @8 O3 K# t
            产业化形式上则以合作为主,Micro-LED以定制化设计为主,加之技术要求较高,行业呈现高度整合态势,面板、芯片、巨量转移及驱动IC等厂商抱团式发展。[26]7 b* O0 ^( N. q9 |8 n* k( `7 S
            国际上,相关融资也此起彼伏,目标均指向大规模产业化。
" a# |0 I0 {& [9 d( G            2022年1月~11月中旬Micro-LED国际相关融资不完全统计,制表丨果壳硬科技            % X& o8 P8 ?9 w
            Micro-LED在国内也受到热捧,在政策上不断倾斜,且投融资动作频繁。《2022 Mini/Micro LED显示产业白皮书》显示,仅2022年1月~8月,国内就有30多家企业有投资动作,涉及资金总计达415亿元。[10]
: c. V# y6 e0 G( N: @$ g            我国产业链上下游企业也纷纷在LED、巨量转移、彩色化、检测、修复等关键技术开展技术合作,形成“京东方+华灿光电”“三安+华星光电”“富采+錼创+友达+群创”三大阵营[27]。与此同时,国内已展开可穿戴显示、高清移动显示、车载显示、高清大尺寸显示、超大尺寸拼接商用显示样机的研发及试产工作。[18]
& X3 c, B1 f4 t5 l* |            2022年1月~11月中旬Micro-LED国内相关融资不完全统计,制表丨果壳硬科技            5 \% z2 [1 B0 g2 F
            对产业来说,Micro-LED未来之路非黑即白,从好的方面来看,市场前景一片光明,从坏的方面来看,短时是销量的博弈。: ^: a& i0 B$ i
            一方面,市场下行,面板行业则是砍单风暴的第一批“受害者”,消费电子需求不济,不知道这种情况是否会在大规模商业化时有所缓解。5 o9 A( M/ R. J8 z/ ~6 N% B& @
            另一方面,对普通消费者而言,他们更多关注的是产品的性能、功能及价格,对于采用是哪种技术,并不会过多关心。对于显示厂商来说,最为重要的,可能便是思考如何让更多普通消费者感受到Micro-LED对生活的改变。7 H) U) r/ U- m6 g* z( V9 @8 k
            References:$ D2 c* B1 w; d
            [1] 季洪雷, 张萍萍, 陈乃军, 等. Micro-LED显示的发展现状与技术挑战[J]. 液晶与显示, 2021, 36(8):1101-1112. DOI:10.37188/CJLCD.2021-0063.
5 I. ?5 L7 ~$ e            [2] 蔡克新. Micro-LED 显示器量化生产关键技术[J]. 电子工业专用设备, 2021.- D1 f( E: g# U: G
            [3] 杨小慧.二维到三维的突破——未来选择Micro-LED——专访国际信息显示学会(SID)全球财务长、福州大学特聘教授严群博士[J].光电子技术,2022,42(03):167-168.
* j2 n1 S, Z: S$ h% q/ V! r            [4] 赛迪智库:Micro LED显示研究报告(2019).2019.4.8.http://www.cena.com.cn/industrynews/20190408/99708.html
3 e( X! X! @2 I0 D! T            [5] 常鹏, 翟玥, 吴娜, 等. 钾离子掺杂CsPbCl3:Mn钙钛矿量子点的荧光性能[J]. 液晶与显示, 2021, 36(10):1352-1361. DOI:10.37188/CJLCD.2021-0161., r' h) U& ^+ K
            [6] CSIA:Micro-LED技术路线图(2020版).http://www.casa-china.cn/uploads/soft/211202/12_1605156421.pdf" H, f& i, I; B& f/ [7 G) M
            [7] 周律, 郑华, 张声浩, 等. Micro-LED显示及其驱动技术的研究进展[J]. 液晶与显示, 2022, 37(11):1395-1410. DOI:10.37188/CJLCD.2022-0157.
! Y  L; e9 b" v6 @9 \            [8] 《化合物半导体》:从 Mini-LED 到 Micro-LED 显示器.2021.7.21.https://mp.weixin.qq.com/s/emHt3d8M4PCAYo49NZbUjg& {5 v$ ~; Z! s' N
            [9] 季洪雷, 陈乃军, 王代青, 等. Mini-LED背光技术在电视产品应用中的进展和挑战[J]. 液晶与显示, 2021, 36(7):983-992. DOI:10.37188/CJLCD.2021-0042.
  V" p( o& W4 M( @            [10] 《上海证券报》:《2022 Mini/Micro LED显示产业白皮书》发布.2022.10.14.https://company.cnstock.com/company/scp_gsxw/202210/4967706.htm
; ?' x( |& c6 g; r6 v" F- G            [11] TIAN P F, MCKENDRY J J D, GU E D, et al. Fabrication, characterization and applications of flexible vertical InGaN micro-light emitting diode arrays [J]. Optics Express,2016,24(1):699-707.  doi: 10.1364/oe.24.0006994 ?3 h# P9 x% @  P: v* D  T
            [12] 周律, 郑华, 张声浩, 等. Micro-LED显示及其驱动技术的研究进展[J]. 液晶与显示, 2022, 37(11):1395-1410. DOI:10.37188/CJLCD.2022-0157.
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