三星举行三星技术日活动 带来内存和存储多项进展

似雪花飘

近日，三星电子举办了 2022 年三星技术日，在内存和储存方面都带来了全新的产品和技术发布，以及未来的技术路线信息。
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在内存技术方面，三星表示，三星的 1b 级 DRAM 目前正在开发中，计划在 2023 年进行大规模生产。为了克服 DRAM 扩展到 10 纳米范围以外的挑战，该公司一直在开发图案化、材料和架构方面的颠覆性解决方案，例如 High-K 材料的应用等正在顺利推进。
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同时三星介绍了即将推出的 DRAM 解决方案，例如 32Gb DDR5 DRAM、8.5Gbps LPDDR5X DRAM 和 36Gbps GDDR7 DRAM，它们将为数据中心、HPC、移动、游戏和汽车市场领域带来新的功能。三星电子还带来了一个有趣的数据，那就是三星电子在过去 40 年中一共生产了 1 万亿 GB 容量的内存芯片，是一个相当恐怖的数字。


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! c- `& N& _2 N& V. {随后，在储存方面，三星也带来了全新的支持 PCIe 5.0 的 SSD 产品，名为 PM9C1a。这是一款新的无 DRAM 固态硬盘，它将同时支持 PCIe 4.0 和 5.0 标准，但三星暂未公布其他详细信息，猜测有可能将是此前流出的 990 Pro SSD 的 PCIe 5.0 版本。而在技术方面，三星表示其第九代 V-NAND 正在开发中，计划于 2024 年量产。到 2030 年，三星设想 NAND 堆叠超过 1000 层，以更好地支持未来的数据密集型技术。三星还宣布，全球最高容量的 1Tb TLC V-NAND 将于今年年底向客户提供。
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