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基站数量是美国的十倍,中国5G基站发展现状

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发表于 2019-12-12 08:36:47 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 中国
目前我国5G基站数量已经达到10万,是美国的10倍左右
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除了中国,韩国在基站建设上也比较厉害,中国跟韩国同属于5G基站建设的第一梯队,目前的话甚至韩国会稍微领先一些,韩国今年发力比较猛,但是中国的高峰建设期马上就要来临,这个无需担心。$ l+ v, T, W  ?, G: x: D
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( i1 I  i  Z( m" d* f欧洲大部分国家都好像不太着急的样子,原因在于他们的运营商是民营企业,全欧洲运营商就上百家,买频率波段就花了几十亿,这样巨额投资对大的运营商公司都扛不太住,小运营商更没钱投资。而我们的联通移动电信等不用花钱,等政府分配就是了。
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基站带来的市场非常巨大,从直接投资来说简单算,就是设备单价乘以设备数量。相比4G基站,5G基站的频率更高,速度也更快,单站的价值量更高。
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5G因为波长比4G更短,覆盖范围更小,所以达到现在的覆盖范围,5G的基站数量是4G的1.77倍。
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为了看5G基站可能达到的数量,我们可以通过4G基站来推测。& g7 r+ t: w! {4 e. ~/ Z2 s
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据三大运营商披露,截至2018年上半年,国内共有417万个4G基站,其中约85%是宏基站。5G基站单价是4G的2倍不到,4G基站投资8500亿。% w/ z5 Q! A7 J: a# ~8 k% s# ?
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5G基站数量:1.77*417*85%=627万个& K* ~& ^* T* ?! t. x& u

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. J: @4 F0 O& Y: @& {投资规模1.77*85%*2*8500=25576亿。
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) G# P* L# S5 a3 S  V那么,要实现4G的覆盖效果,5G基站数量需达到627万个,投资规模2万多亿
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* U% n# z* Q( v% y1 `) I! J这样巨额5G投资的完全布局会一直持续到2025甚至2030年。* C7 |3 y# _3 U, R  E
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# b( Y( M7 F- V其实从今年和明年来看,5G建设还是在初期阶段,明年5G基站的覆盖城市及部署数量不会太多,就单个运营商而言,主力会在国内20~25个城市部署5G。, R$ g$ I! y0 l4 V+ q
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除了基站外,5G网络的部署还包括传输网、核心网,但总归对运营商来说投资成本压力还是非常大的。
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( K: O* K# y* P9 `* H+ h9 L8 v令祖国人民非常放心的是,国内设备商已经具备了明显的领先优势。# D5 a5 T& p7 m+ P8 Q, q, ]; ]
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$ s2 n9 q& B5 X5 H. r. N/ |/ r华为在全球遥遥领先,年内出货量50万台。中兴其次,达5万台,三星与中兴差不多,再后面还有爱立信和诺基亚,可以看出中国在5G上面优势很大。
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9 W- G& d3 q1 t0 P$ h* E9 W在基站方面首先收益的是基站上游PCB印刷电路板生产商,PCB可以说是目前5G投资最大的确定性机会之一5 o8 w3 K; u; K$ ?/ e2 f

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6 y% p6 S$ L" W6 h5 p  C受益逻辑主要有两个:" h( O6 D  Z8 h. \

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! R( F7 D# ~. o3 e# ?一是5G宏基站中PCB的单站价值量是4G的3.2倍,为15104元/站;再加上室分站,一个5G宏基站中PCB的单站价值量高达1.5万-2万元。1 t( @* H7 T- A4 v6 d/ E' ]( O
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5 J8 R2 N1 B. n2 h) ~另一个逻辑是我国目前在PCB领域基本实现了国产可控,相关厂商也避免了被海外厂家薅羊毛,能够获得切实的收益。
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此外还有基站射频器件也充分受益5G带来的技术升级。5G网络搭载的射频器件更复杂,所需射频器件的数量和价值量均成倍增加,除了基站,手机中也需搭载更为复杂的射频器件。5G初期的手机中,仅射频器件这块将带来150美元的新增成本。
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* C. W# ^3 x3 o9 J射频器件中的滤波器、射频开关、天线调谐开关及射频模组均将有较大幅度的增长。只是射频这方面进口依赖严重,国内拥有能拿得出手的产品和技术的企业并不多。
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* H* X2 x6 X- h; g总之,5G基站建设耗时长、投资大,整个过程会带动许多相关行业发展,例如滤波器、天线、PCB、基站散热材料等等行业。
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来源:http://mp.weixin.qq.com/s?src=11&timestamp=1576108805&ver=2029&signature=6R8a84R8KsG*fw8OpjtGGQ0e1IiVe9eUOWXjFKOdqCfZJWX3a*OS4Y2x*YjKAdHIwcOuttxTRbprwrp1GLI-q6015pAgEuTLiQCDXDy7nMIGlHl0eOFVq-ymdpZKF8ky&new=1) [, B5 w- f$ t) V; [
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