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在近期举行的2019年英特尔开发者大会/解决方案日上，英特尔进一步介绍了3D Xpoint和3D NAND技术。 {3 f: |5 S" P( e. E ]& T' J
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. l/ X& W" h; j) u海量数据为企业重新构想和发展提供了丰富的想象力，可以充分满足商业、研究、AI等其他方向的用途。要实现海量数据的处理，内存和存储都是必不可少的。过去，内存和存储解决方案一直受到密度、性能和成本的限制。不同存储层次架构都有着各自的特点：4 W* Z) Z% y) U
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: B9 Z' ~! L+ i3 A7 y( }& Q- DRAM在性能方面表现出色，但它昂贵、易失且可扩展性有限；
- D- ^5 H% I3 @3 X - NAND是非易失性的且比DRAM便宜，但它缺乏 DRAM 的性能；' ]7 W1 F. }/ P- n+ {$ }
- HDD可以以低价格、大容量提供大量存储，但性能有限。; i* n8 Q \' a+ H7 }3 P
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而目前数据中心的数据存储层次结构是CPU的缓存、DRAM，然后到HDD。但是，随着数据负载的增加，对于需要进行海量数据处理的数据中心而言，如何找到有DRAM的性能同时能提供HDD的超大容量的存储层次结构是非常重要的。
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英特尔Optane在数据架构中创建新层 N! |! a8 H; L; t6 Y# u- o
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英特尔Optane 技术是一种基于英特尔3D XPoint 技术的全新非易失性存储选项，该技术利用内存和存储架构中的新层实现了现有数据中心架构的现代化，从而填补了高性能易失性内存和性能较低但价格合理的 NAND 存储之间的缺口。5 f+ ^* o7 a1 W8 z7 I7 E8 l+ |
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英特尔建议将Optane DC（非易失性，速度慢于DRAM，但容量是DRAM的10倍）作为第一阶段存储层次；Optane DC SSD（速度比3D NAND SSD快几倍）作为第二阶段存储层次；高容量QLC 3D SSD作为第三阶段存储层次。
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据EE Times报道，英特尔新一代3D Xpoint的存储单元层数会翻一倍，从原来的两层增加到四层，Die容量会从128Gbit（16GB）翻倍到256Gbit（32GB），随着芯片的存储密度的提升，这必然会降低每GB的成本，从而降低终端产品的价格。而这一代产品是英特尔和美光分家后独立开发的，由英特尔位于新墨西哥州的Fab 11X工厂负责开发，不过生产依然由美光所负责。$ F: I) X2 @6 G+ _, I* I3 Z
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英特尔计划把第二代3D Xpoint用在代号为Barlow Pass的第二代傲腾持久内存和代号为Alder Stream的新傲腾数据中心SSD上，预计会在2020年随Cooper Lake-SP和Ice Lake-SP平台一同发布。 " {) M; S F! C. u* J, p: z4 T
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7 f9 u+ i4 o a英特尔3D NAND技术持续发展 3 y1 R6 I- h8 a% E6 k
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* Q0 M! ?" I; A& C, V* Y7 N6 Q目前NAND Flash处于最前沿进展中，3D NAND主导了大容量产品市场。在这个市场上，三星和Kioxia处于研发领先，但是英特尔在高密度化方面也有优势，将在2020年发布144层3D NAND，同时也成功开发了5bit /cell。同时英特尔QLC 3D NAND可与Optane技术相结合使用，能够在性能、速度、寿命等方面提供优异表现。
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英特尔在2019年第二季度发布了可以容纳在1U服务器中的E1.L外形尺寸的15TB SSD产品。E1.L和E1.S的外形尺寸更易于实现服务器的高存储容量需求。E1.L是高度为38.6mm，厚度为12.5mm，长度为325.25mm的细长型，可垂直安装进1U服务器中。2019年下半年还将推出E1.S，其厚度为5mm，高31.5mm，长111.5mm，最大存储容量为4TB。 4 `) H' } r# C% S2 v
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发表于 2019-10-12 17:42:29
