重大突破 美光暂时绕过 EUV 光刻技术制造芯片 试产样片已经送测 ...

yi叶秋枫

近日，半导体大厂美光官方宣布其采用全球先进 1 β（1-beta）制造工艺的 DRAM 内存芯片即将量产，目前已经将试产样片送测给手机、电脑等客户进行测试。此消息一出，众多媒体错误解读美光绕过了 EUV 光刻技术制造芯片。据多方了解，此次美光采用全球先进 1 β ( 1-beta ) 制造工艺确实暂时不需要 EUV 光刻技术参与即可制造芯片，其 1 β 工艺可将能效提高约 15％，存储密度提升 35％以上，单颗裸片（Die）容量高达 16Gb（2GB），目前暂时不需要 EUV 光刻技术参与，但并不代表未来不需要。1 β 目前的工艺需要采用 DUV（深紫外光刻）参与制造芯片，并非真正意义上的绕过了 EUV（极紫外光刻）工艺。
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当今各国也都在研发全新的光刻技术，尝试打破光刻技术垄断，但到目前为止还没有出现重大突破。有业内人士指出，1 β（1-beta）DRAM，只是美光把 DUV 的能力发挥到 DRAM 工艺的极致，DRAM 的先进性很大程度上取决于每平方毫米晶圆面积上集成更多更快半导体的能力，各公司目前通过不断缩小电路面积来进行竞争。成本上或许也会更具比较优势，但他们并不没有绕过 EUV 光刻机及相关技术。