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导读：10月25日，第十四届“中国集成电路产业促进大会”在青岛举办，并现场揭晓了“中国芯”优秀产品征集结果。深圳本土第三代半导体科创企业 - 深圳基本半导体有限公司旗下车规级全碳化硅功率模块（BMB200120P1）荣获优秀技术创新产品奖。
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- l/ E6 X5 d$ r基本半导体董事长汪之涵博士（左起第五位）登台领奖
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10月25日，第十四届“中国集成电路产业促进大会”在青岛举办，并现场揭晓了“中国芯”优秀产品征集结果。深圳本土第三代半导体科创企业 - 深圳基本半导体有限公司旗下车规级全碳化硅功率模块（BMB200120P1）荣获优秀技术创新产品奖。
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2 ]% o0 I+ X7 y8 D“中国芯”作为国内集成电路产业的荣誉，被誉为我国集成电路设计业发展的风向标。“中国芯”优秀产品征集活动由中国电子信息产业发展研究院（直属于国家工业和信息化部的一类科研事业单位）主办，旨在征集国内集成电路领域产品创新、技术创新和应用创新成果，打造中国集成电路产业高端公共品牌，并发挥示范效应，促进我国集成电路产业发展。
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本届“中国芯”优秀产品征集活动设有“年度重大创新突破产品、优秀技术创新产品、优秀市场表现产品、优秀技术成果转化项目”四大奖项，自启动以来得到国内集成电路企业和上下游厂商的高度关注，共收到来自125家芯片企业、187款芯片产品的报名材料，创历史新高，涵盖了国内最优秀的集成电路企业，代表着我国集成电路产业最先进的发展水平。9 O3 T* I% y( H. j& z) d
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2019年“中国芯”优秀产品展示
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- s. R$ E5 E5 [9 I同时，本届“中国芯”的报名企业中，上海的企业26家，深圳21家，北京20家，累计占总报名企业数量的54%；征集产品中，上海企业的产品49款，深圳40款，北京23款，累计占最终征集产品数量的59%。
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$ G9 p; ~5 y5 _ k 第十四届“中国芯”优秀技术创新产品奖
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; S2 e( _1 s" M( ~( t基本半导体本次获奖的车规级全碳化硅功率模块，内部集成两单元1200V/200A碳化硅MOSFET和碳化硅续流二极管。碳化硅MOSFET采用了最新的设计生产工艺，在栅极电输入电容、内部寄生电感、热阻等多项参数上达到业内领先水平。单模块采用半桥拓扑结构，200A输出电流能力可有效减少逆变器中功率器件数量，降低系统设计难度，提升系统可靠性，并使用了业内主流的单面水冷散热形式，为高效电机控制器设计提供便利。' }& V( q6 |+ |) J+ x0 ^: T5 r
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+ d7 U) |7 v5 o) k 基本半导体车规级全碳化硅功率模块
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车规级全碳化硅功率模块主要为新能源汽车应用设计，提升动力系统逆变器转换效率、缩小体积、降低重量，进而提高新能源汽车的能源效率和续航里程。今年9月，青铜剑科技联合基本半导体发布了基于上述车规级全碳化硅功率模块的新能源汽车电机控制器解决方案，可实现最大功率150kW@800Vdc，最大工作开关频率100kHz，输入电压范围300～800Vdc，三相输出电流240A，功率密度达30kW/L。
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 基于车规级全碳化硅功率模块的新能源汽车电机控制器解决方案
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$ B) m" j' o/ X6 K5 g- W“中国芯”优秀产品征集活动的成功举办，为国内集成电路设计企业提供了集中展示实力和信心的舞台，推动国产芯片行业的自主创新，加快“中国芯”市场化、产业化的步伐。未来，基本半导体将再接再厉，以创新、专注的工匠精神，怀揣中国芯，追梦新时代！+ w" q1 ~; R$ y0 o1 O
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$ ?" H; k; W6 E C) {' s6 v活动现场
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$ `* Q. v/ _( H" L# k【关于基本半导体】
2 f1 g4 S7 N! r) N$ H' h1 a基本半导体由清华大学、浙江大学、剑桥大学、瑞典皇家理工学院等国内外知名高校博士团队创立，专注于碳化硅功率器件的研发与产业化，是中国第三代半导体行业领军企业。基本半导体自主研发的650V~1200V/2A~40A全电流电压等级碳化硅二极管、首款国产工业级1200V碳化硅MOSFET系列产品已实现量产并推向市场，车规级全碳化硅功率模块已完成首批工程样品并联合国内一线主机厂开展测试，性能均达到国际先进水平，广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网等领域。1 q# a6 G# i$ w# M. O' J3 a
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发表于 2019-10-30 08:01:41
