台积电：3nm工艺进展顺利 已有客户参与

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如今在半导体工艺上，台积电一直十分激进，7nm EUV 工艺已经量产，5nm 马上就来，3nm 也不远了。
台积电 CEO 兼联席主席蔡力行 ( C.C. Wei ) 在投资者与分析师会议上透露，台积电的 N3 3nm 工艺技术研发非常顺利，已经有早期客户参与进来，与台积电一起进行技术定义，3nm 将在未来进一步深化台积电的领导地位。
目前，3nm 工艺仍在早期研发阶段，台积电也没有给出任何技术细节，以及性能、功耗指标，比如相比 5nm 工艺能提升多少，只是说3nm 将是一个全新的工艺节点，而不是 5nm 的改进版。
* T! x, Q% R2 C5 n台积电只是说，已经评估了 3nm 工艺所有可能的晶体管结构设计，并与客户一起得到了非常好的解决方案，具体规范正在进一步开发中，公司有信心满足大客户们的所有要求。
三星此前曾披露，将在 3nm 工艺上采用基于纳米片 ( nano-sheet ) 的环绕式栅极 ( Gate-All-Around ) MBCFET 晶体管结构，工艺节点简称 3GAAE。
* m1 L2 s& o) n. Z考虑到台积电必须在新工艺上保持足够的竞争力，而且强调过 3nm 是全新的，所以必然也会有新的架构、技术、材料等。
另外，台积电 5nm 工艺使用了 14 个 EUV 极紫外光刻层，3nm 上应该会使用更多，但仍可能继续保留 DUV 深紫外光刻技术，混合使用。
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